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HGTD2N120BNS9A

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型号:HGTD2N120BNS9A

描述:Fairchild Semiconductor

厂商:12A, 1200V, NPT N-Channel IGBT

PDF大小:3133 K

页数:8 页

 型号HGTD7N60C3S9A参数

  • onsemi
  • IGBT 600V 14A TO252AA
  • 剪切带(CT): ¥13.98000
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 14 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,7A
  • 功率 - 最大值: 60 W
  • 开关能量: 165μJ(开),600μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 23 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: -
  • 测试条件: -
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装: TO-252AA
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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