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HGT1S7N60A4DS

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型号:HGT1S7N60A4DS

描述:Fairchild Semiconductor

厂商:600 V, SMPS N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

PDF大小:143 K

页数:9 页

 型号HGT1S7N60A4DS参数

  • onsemi
  • IGBT 600V 34A 125W TO263AB
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 34 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.7V @ 15V,7A
  • 功率 - 最大值: 125 W
  • 开关能量: 55μJ(开),60μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 37 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 11ns/100ns
  • 测试条件: 390V,7A,25 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): 34 ns
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装: D2PAK(TO-263)

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