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HGT1S1N120BNDS

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型号:HGT1S1N120BNDS

描述:Fairchild Semiconductor

厂商:5.3A, 1200V, NPT N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

PDF大小:103 K

页数:8 页

 型号HGT1S7N60C3DS9A参数

  • onsemi
  • IGBT 600V 14A 60W TO263AB
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 14 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,7A
  • 功率 - 最大值: 60 W
  • 开关能量: 165μJ(开),600μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 23 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: -
  • 测试条件: 480V,7A,50欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr): 37 ns
  • 工作温度: -
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装: D2PAK(TO-263)
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
HGT1S1N120BNDS9A

1000 Fairchild/Intersil 原装 |TO-263 最新批次 -

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