型号GP2T080A120U参数

• SemiQ
• SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
• 管件: ￥95.54000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）: 1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 10mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 58 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）: +25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1377 pF @ 1000 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 188W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-247-3
• 封装/外壳: TO-247-3