型号GC20N65T参数

• Goford Semiconductor
• N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
• 管件: ￥23.61000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 170 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1724 pF @ 100 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 151W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 供应商器件封装: TO-220
• 封装/外壳: TO-220-3