型号GB35XF120K参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• IGBT MODULE 1200V 50A 284W
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• IGBT 类型: NPT
• 配置: 三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 50 A
• 功率 - 最大值: 284 W
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 3V @ 15V，50A
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 100 μA
• 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 3.475 nF @ 30 V
• 输入: 标准
• NTC 热敏电阻: 无
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: ECONO2
• 供应商器件封装: -