型号GT60N321(Q)参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• IGBT 类型: -
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1000 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 2.8V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值: 170 W
• 开关能量: -
• 输入类型: 标准
• 栅极电荷: -
• 25°C 时 Td（开/关）值: 330ns/700ns
• 测试条件: -
• 反向恢复时间 (trr): 2.5 μs
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: TO-3PL
• 供应商器件封装: TO-3P（LH）