型号GT30N135SRA,S1E参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
• 管件: ￥29.80000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• IGBT 类型: -
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1350 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 2.6V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值: 348 W
• 开关能量: -，1.3mJ（关）
• 输入类型: 标准
• 栅极电荷: 270 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值: -
• 测试条件: 300V，60A，39 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr): -
• 工作温度: 175°C（TJ）
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: TO-247-3
• 供应商器件封装: TO-247