型号GT10J312(Q)参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• IGBT 600V 10A 60W TO220SM
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• IGBT 类型: -
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 20 A
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 2.7V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值: 60 W
• 开关能量: -
• 输入类型: 标准
• 栅极电荷: -
• 25°C 时 Td（开/关）值: 400ns/400ns
• 测试条件: 300V，10A，100 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr): 200 ns
• 工作温度: 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
• 供应商器件封装: TO-220SM