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FII30-12E

型号:FII30-12E

描述:IXYS Corporation

厂商:NPT IGBT

PDF大小:47 K

页数:8 页

 型号FII30-12E参数

  • IXYS
  • IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: NPT
  • 配置: 半桥
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 33 A
  • 功率 - 最大值: 150 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.9V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 200 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 1.2 nF @ 25 V
  • 输入: 标准
  • NTC 热敏电阻: 无
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: i4-Pac?-5
  • 供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC?
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
FII30-12E

1000 IXYS 原厂封装 16+/17+ -

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