型号FESB8JT-E3/81参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
• 剪切带（CT）: ￥10.83000,卷带（TR）: ￥6.23393
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V @ 8 A
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 50 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 μA @ 600 V
• 不同?Vr、F 时电容: -
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
• 供应商器件封装: TO-263AB（D2PAK）
• 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C