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FDD6672A

型号:FDD6672A

描述:Fairchild Semiconductor

厂商:30 V N-Channel PowerTrench MOSFET

PDF大小:79 K

页数:5 页

 型号FDD6N50TM-WS参数

  • onsemi
  • MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  • 剪切带(CT): ¥12.13000,卷带(TR): ¥5.16137
  • 产品状态: 最后售卖
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 900 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 16.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9400 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 89W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: TO-252AA
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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