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FDD5614P

型号:FDD5614P

描述:Fairchild Semiconductor

厂商:60 V P-Channel PowerTrench MOSFET

PDF大小:81 K

页数:6 页

 型号FDD5N60NZTM参数

  • onsemi
  • MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  • 剪切带(CT): ¥9.52000,卷带(TR): ¥4.02833
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 13 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 83W(Tc)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: TO-252AA
  • 封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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