型号FDC658P参数

• onsemi
• MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
• 剪切带（CT）: ￥5.53000,卷带（TR）: ￥1.96015
• 产品状态: 在售
• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 12 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）: ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 750 pF @ 15 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: SuperSOT?-6
• 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6