型号FDC6322C参数

• onsemi
• MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
• 系列: -
• 产品状态: 停产
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: 逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）: 25V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA，460mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 0.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9.5pF @ 10V
• 功率 - 最大值: 700mW
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装: SuperSOT?-6