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FDC5612

型号:FDC5612

描述:Fairchild Semiconductor

厂商:60 V N-Channel PowerTrench MOSFET

PDF大小:75 K

页数:5 页

 型号FDC5612参数

  • onsemi
  • MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
  • 剪切带(CT): ¥5.15000,卷带(TR): ¥1.98802
  • 产品状态: 在售
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss): 60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 @ 4.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): 18 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值): ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650 pF @ 25 V
  • FET 功能: -
  • 功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
  • 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 供应商器件封装: SuperSOT?-6
  • 封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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