型号FD150R12RT4HOSA1参数

• Infineon Technologies
• IGBT MOD 1200V 150A 790W
• 托盘: ￥510.87000
• 产品状态: 在售
• IGBT 类型: 沟槽型场截止
• 配置: 单斩波器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150 A
• 功率 - 最大值: 790 W
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，150A
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
• 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 9.3 nF @ 25 V
• 输入: 标准
• NTC 热敏电阻: 无
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: 模块
• 供应商器件封装: 模块