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FD1000FV-80

型号:FD1000FV-80

描述:Mitsubishi Electric Corporation

厂商:HIGH-FREQUENCY RECTIFIER DIODE

PDF大小:50 K

页数:3 页

 型号FD1000R33HL3KBPSA1参数

  • Infineon Technologies
  • IGBT MODULE 3300V 1000A
  • 散装: ¥20,582.94000
  • 产品状态: 在售
  • IGBT 类型: 沟槽型场截止
  • 配置: 2 个独立式
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1000 A
  • 功率 - 最大值: 11500 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.85V @ 15V,1000A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 190 nF @ 25 V
  • 输入: 标准
  • NTC 热敏电阻: 无
  • 工作温度: -40°C ~ 150°C
  • 安装类型: 底座安装
  • 封装/外壳: 模块
  • 供应商器件封装: 模块
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
FD1000FV-80

500 - - 最新批号 最新供应

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