型号FCD4N60TM参数

• onsemi
• MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
• 剪切带（CT）: ￥10.83000,卷带（TR）: ￥4.60313
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 16.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）: ±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 25 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: 50W（Tc）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: TO-252AA
• 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63