型号1SS196(TE85L,F)参数

• Toshiba Semiconductor and Storage
• DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
• 剪切带（CT）: ￥2.69000,卷带（TR）: ￥0.46633
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 80 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 100mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 100 mA
• 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr): 4 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 80 V
• 不同?Vr、F 时电容: 3pF @ 0V，1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装: SC-59-3
• 工作温度 - 结: 125°C（最大）