型号FS03MR12A6MA1LBBPSA1参数

• Infineon Technologies
• HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
• 托盘: ￥27,006.46333
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 6 N-沟道（3 相桥）
• FET 功能: 碳化硅（SiC）
• 漏源电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.7 毫欧 @ 400A，15V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.55V @ 240mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 1320nC @ 15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 42.5nF @ 600V
• 功率 - 最大值: 20mW
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: 模块
• 供应商器件封装: AG-HYBRIDD-2