你好,欢迎访问达普芯片交易网!|  电话:010-82614113

如您有本站未收集的PDF资料,您可在线上传该PDF资料以让更多人共享您的资源,谢谢!

达普首页 > PDF首页  > 模拟类  > 功率场效应管  > FP302 PDF资料

FP302

型号:FP302

描述:Sanyo Semiconductor Corporation

厂商:NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

PDF大小:123 K

页数:4 页

 型号FP30R07U1E4BPSA1参数

  • Infineon Technologies
  • IGBT MODULE 650V 50A 160W
  • 产品状态: 停产
  • IGBT 类型: 沟槽型场截止
  • 配置: 三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
  • 功率 - 最大值: 160 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 1.9 nF @ 25 V
  • 输入: 标准
  • NTC 热敏电阻: 是
  • 工作温度: -40°C ~ 150°C
  • 安装类型: 底座安装
  • 封装/外壳: 模块
  • 供应商器件封装: 模块
查看更多
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
FP302(TL302)

1000 进口原装 PDF参考 0706+ -

留言

FP302(TL302)

1000 进口原装 PDF参考 0706+ -

点击这里给我发送消息

留言

FP30200

1000 MAGNETEK TRIAD 原厂封装 21+ -

留言

FP30200

1000 MAGNETEK TRIAD 原厂封装 21+ -

点击这里给我发送消息

留言

FP3020A

1000 HTA Industries Ltd Datasheet 06/07+ -

点击这里给我发送消息

留言

FP3020A

1000 HTA Industries Ltd Datasheet 06/07+ -

留言

在线人工客服

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

点击这里给我发消息

010-82614113

客服在线时间周一至周五
9:00-17:30