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1N645
型号：1N645
描述：Microsemi Corporation
厂商：Silicon Rectifier Diode
PDF大小：169 K
页数：3 页
型号1N649-1/TR参数
- Microchip Technology
- SIGNAL/COMPUTER DIODE
- 卷带（TR）: ￥19.66000
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 二极管类型: 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V
- 电流 - 平均整流 (Io): 400mA
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 400 mA
- 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr): -
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 600 V
- 不同?Vr、F 时电容: -
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装: DO-35
- 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N645 | | 5500 | NTE ELECTRONICS | - | - | POWER RECTIFIER S. RECOVERY Diode Type:Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V | |
| 1N645 |
| 5500 | NTE ELECTRONICS | - | - | POWER RECTIFIER S. RECOVERY Diode Type:Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V | |
| 1N645 |
| 5500 | NTE ELECTRONICS | - | - | POWER RECTIFIER S. RECOVERY Diode Type:Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V | |
| 1N645-1 |
| 5500 | SOLID STATE | - | - | STANDARD DIODE, 400mA, 225V, DO-35 Diode Type:Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm M | |
| 1N645-1 | | 5500 | SOLID STATE | - | - | STANDARD DIODE, 400mA, 225V, DO-35 Diode Type:Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm M | |
| 1N645-1 |
| 5500 | SOLID STATE | - | - | STANDARD DIODE, 400mA, 225V, DO-35 Diode Type:Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm M |
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热门型号:
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