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F1222

型号:F1222

描述:Polyfet RF Devices

厂商:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

PDF大小:38 K

页数:2 页

 型号F1225R12KT4GBOSA1参数

  • Infineon Technologies
  • IGBT MOD 1200V 25A 160W
  • 托盘: ¥1,054.00000
  • 产品状态: 在售
  • IGBT 类型: 沟槽型场截止
  • 配置: 三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 25 A
  • 功率 - 最大值: 160 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.15V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF @ 25 V
  • 输入: 标准
  • NTC 热敏电阻: 无
  • 工作温度: -40°C ~ 150°C
  • 安装类型: 底座安装
  • 封装/外壳: 模块
  • 供应商器件封装: 模块
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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