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1N5804US

型号:1N5804US

描述:Semtech International AG

厂商:ULTRAFAST RECOVERY

PDF大小:43 K

页数:3 页

 型号1N5804US参数

  • Microchip Technology
  • DIODE GEN PURP 100V 1A D5A
  • 散装: ¥72.65000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV @ 1 A
  • 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 25 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 时电容: 25pF @ 10V,1MHz
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SQ-MELF,A
  • 供应商器件封装: D-5A
  • 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
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