型号ES3B-E3/9AT参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
• 剪切带（CT）: ￥5.15000,卷带（TR）: ￥1.82527
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 3 A
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 μA @ 100 V
• 不同?Vr、F 时电容: 45pF @ 4V，1MHz
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: DO-214AB，SMC
• 供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
• 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C