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1N5612

型号:1N5612

描述:Microsemi Corporation

厂商:Power Zener Transient Suppressor Diodes

PDF大小:83 K

页数:2 页

 型号1N5627-TR参数

  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
  • 剪切带(CT): ¥8.68000,卷带(TR): ¥3.95365
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 雪崩
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
  • 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 7.5 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 μA @ 800 V
  • 不同?Vr、F 时电容: 60pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: SOD-64,轴向
  • 供应商器件封装: SOD-64
  • 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
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