型号EPC2302参数

• EPC
• TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
• 剪切带（CT）: ￥49.92000,卷带（TR）: ￥49.91756
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 通道
• 技术: GaNFET（氮化镓）
• 漏源电压（Vdss）: 100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 101A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8毫欧 @ 50A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 14mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 23 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）: +6V，-4V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3200 pF @ 50 V
• FET 功能: -
• 功率耗散（最大值）: -
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: 7-QFN（3x5）
• 封装/外壳: 7-PowerWQFN