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型号:EMG1

描述:ROHM CO., LTD.

厂商:General purpose (dual digital transistor)

PDF大小:64 K

页数:2 页

 型号EMG1T2R参数

  • Rohm Semiconductor
  • TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
  • 剪切带(CT): ¥3.53000,卷带(TR): ¥0.74732
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 电阻器 - 基极 (R1): 22 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2): 22 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 56 @ 5mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 500μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
  • 频率 - 跃迁: 250MHz
  • 功率 - 最大值: 150mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 6-SMD(5引线),扁引线
  • 供应商器件封装: EMT5
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EMG17-B3

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