型号EMF8T2R参数

• Rohm Semiconductor
• TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 晶体管类型: 1 NPN 预偏压式，1 NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA，500mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V，12V
• 电阻器 - 基极 (R1): 47 千欧
• 电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
• 频率 - 跃迁: 250MHz，320MHz
• 功率 - 最大值: 150mW
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装: EMT6