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1N5231B-TAP

型号:1N5231B-TAP

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:Silicon Z-Diode

PDF大小:71 K

页数:4 页

 型号1N5231B-TAP参数

  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
  • 剪切带(CT): ¥1.46000,带盒(TB): ¥0.20275
  • 产品状态: 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V
  • 容差: ±5%
  • 功率 - 最大值: 500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt): 17 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度: 175°C
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
1N5231B-TAP-5.1V-1-2

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