型号1N5062TR参数

• Vishay General Semiconductor - Diodes Division
• DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
• 剪切带（CT）: ￥5.30000,卷带（TR）: ￥1.82468
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 雪崩
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 800 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 2A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 2.5 A
• 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 4 μs
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 μA @ 800 V
• 不同?Vr、F 时电容: 40pF @ 0V，1MHz
• 安装类型: 通孔
• 封装/外壳: SOD-57，轴向
• 供应商器件封装: SOD-57
• 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C