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型号:EGP50D

描述:General Semiconductor, Inc.

厂商:Glass Passivated Ultrafast Rectifier

PDF大小:47 K

页数:2 页

 型号EGP51G-E3/C参数

  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD
  • 剪切带(CT): ¥13.75000,卷带(TR): ¥6.24096
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 5 A
  • 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 50 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 400 V
  • 不同?Vr、F 时电容: 48pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: DO-201AD,轴向
  • 供应商器件封装: DO-201AD
  • 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
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