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1N4702-TAP
型号：1N4702-TAP
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon Epitaxial Planar Z-Diode
PDF大小：103 K
页数：6 页
型号1N4764A-TR参数
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- DIODE ZENER 100V 1.3W DO41
- 剪切带（CT）: ￥2.46000
- 产品状态: 停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 100 V
- 容差: ±5%
- 功率 - 最大值: 1.3 W
- 阻抗（最大值）(Zzt): 350 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 76 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
- 工作温度: 175°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
- 供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N4702-TAP
|
| 1000 | AE | - | 08/09+ | - | |
| 1N4702-TAP
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| 1000 | AE | - | 08/09+ | - |
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热门型号:
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