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1N4678-TAP

型号:1N4678-TAP

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:Silicon Epitaxial Planar Z-Diode

PDF大小:103 K

页数:6 页

 型号1N4626UR参数

  • Microchip Technology
  • DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA
  • 散装: ¥31.95000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V
  • 容差: ±5%
  • 功率 - 最大值: 500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt): 1.4 kOhms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 μA @ 5.2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度: -65°C ~ 175°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: DO-213AA(玻璃)
  • 供应商器件封装: DO-213AA
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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