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1N4394

型号:1N4394

描述:Solid State Devices, Inc.

厂商:SILICON TUNNEL DIODE

PDF大小:22 K

页数:2 页

 型号1N4385GP-E3/54参数

  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
  • 剪切带(CT): ¥5.22000,卷带(TR): ¥1.83967
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
  • 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 2 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 μA @ 600 V
  • 不同?Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: DO-204AC,DO-15,轴向
  • 供应商器件封装: DO-204AC(DO-15)
  • 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
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