型号1N3893R参数

• GeneSiC Semiconductor
• DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
• 散装: ￥79.02000
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 二极管类型: 标准型，反极性
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V
• 电流 - 平均整流 (Io): 12A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.4 V @ 12 A
• 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr): 200 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 μA @ 50 V
• 不同?Vr、F 时电容: -
• 安装类型: 底座，接线柱安装
• 封装/外壳: DO-203AA，DO-4，接线柱
• 供应商器件封装: DO-4
• 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C