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1N3512

型号:1N3512

描述:Central Semiconductor Corporation

厂商:400 mW ZENER DIODE LOW LEAKAGE

PDF大小:68 K

页数:1 页

 型号1N3595US参数

  • Microchip Technology
  • DIODE GEN PURP 4A B-MELF
  • 散装: ¥76.03000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): -
  • 电流 - 平均整流 (Io): 4A(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA
  • 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 3 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 nA @ 125 V
  • 不同?Vr、F 时电容: -
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: SQ-MELF,B
  • 供应商器件封装: B,SQ-MELF
  • 工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
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