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1N3019B

型号:1N3019B

描述:Microsemi Corporation

厂商:Silicon 1 W Zener Diode

PDF大小:101 K

页数:2 页

 型号1N3070TR参数

  • onsemi
  • DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
  • 剪切带(CT): ¥2.61000,卷带(TR): ¥0.34045
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 500mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
  • 速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): 50 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 175 V
  • 不同?Vr、F 时电容: 5pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装: DO-35
  • 工作温度 - 结: 175°C(最大)
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