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 型号1N1190AR参数

  • GeneSiC Semiconductor
  • DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5
  • 散装: ¥87.16000
  • 系列: -
  • 产品状态: 在售
  • 二极管类型: 标准型,反极性
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io): 40A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 40 A
  • 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr): -
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 μA @ 50 V
  • 不同?Vr、F 时电容: -
  • 安装类型: 底座,接线柱安装
  • 封装/外壳: DO-203AB,DO-5,接线柱
  • 供应商器件封装: DO-5
  • 工作温度 - 结: -65°C ~ 190°C
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1N1189RA

5500 SOLID STATE - - STANDARD DIODE, 40A, 500V, DO-5 Diode Type:Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:

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