型号DTA115GKAT146参数

• Rohm Semiconductor
• TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• 晶体管类型: PNP - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
• 电阻器 - 基极 (R1): -
• 电阻器 - 发射极 (R2): 100 kOhms
• 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 82 @ 5mA，5V
• 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）: 300mV @ 250μA，5mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA（ICBO）
• 频率 - 跃迁: 250 MHz
• 功率 - 最大值: 200 mW
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装: SMT3