型号DMT69M9LPDW-13参数

• Diodes Incorporated
• MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
• 卷带（TR）: ￥3.76220
• 系列: -
• 产品状态: 在售
• FET 类型: 2 N-通道（双）
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A (Ta), 44A (Tc)
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 33.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2212pF @ 30V
• 功率 - 最大值: 2.5W (Ta), 40.3W (Tc)
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 8-PowerTDFN
• 供应商器件封装: PowerDI5060-8 (Type UXD)