型号DMC67D8UFDBQ-7参数

• Diodes Incorporated
• MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
• 卷带（TR）: ￥1.08029
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道互补型
• FET 功能: 标准
• 漏源电压（Vdss）: 60V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 390mA（Ta），2.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250μA，1.25V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 0.4pC @ 4.5V，7.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 41pF @ 25V，443pF @ 16V
• 功率 - 最大值: 580mW（Ta）
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
• 供应商器件封装: U-DFN2020-6（B 类）