型号DMC1229UFDB-7参数

• Diodes Incorporated
• MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
• 剪切带（CT）: ￥4.07000,卷带（TR）: ￥1.42730
• 产品状态: 在售
• FET 类型: N 和 P 沟道
• FET 功能: -
• 漏源电压（Vdss）: 12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A，3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250μA
• 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）: 19.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 914pF @ 6V
• 功率 - 最大值: 1.4W
• 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
• 供应商器件封装: U-DFN2020-6（B 类）