型号DF75R12W1H4FB11BOMA2参数

• Infineon Technologies
• IGBT MOD 1200V 25A 20MW
• 托盘: ￥757.85958
• 产品状态: 最后售卖
• IGBT 类型: -
• 配置: 三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 25 A
• 功率 - 最大值: 20 mW
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 2.65V @ 15V，25A
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
• 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V
• 输入: 标准
• NTC 热敏电阻: 是
• 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: 模块
• 供应商器件封装: 模块