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型号:DF65432

描述:Dynex Semiconductor Ltd.

厂商:Fast Recovery Diode

PDF大小:61 K

页数:7 页

 型号DF650R17IE4BOSA1参数

  • Infineon Technologies
  • IGBT MOD 1700V 930A 4150W
  • 托盘: ¥4,450.21000
  • 产品状态: 不适用于新设计
  • IGBT 类型: -
  • 配置: 单路
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 930 A
  • 功率 - 最大值: 4150 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值): 2.45V @ 15V,650A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 54 nF @ 25 V
  • 输入: 标准
  • NTC 热敏电阻: 是
  • 工作温度: -40°C ~ 150°C
  • 安装类型: 底座安装
  • 封装/外壳: 模块
  • 供应商器件封装: 模块
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
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