型号DF400R12KE3HOSA1参数

• Infineon Technologies
• IGBT MOD 1200V 580A 2000W
• 散装: ￥863.21500,散装: ￥1,705.87500
• 产品状态: 在售
• IGBT 类型: 沟槽型场截止
• 配置: 单路
• 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 580 A
• 功率 - 最大值: 2000 W
• 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，400A
• 电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
• 不同?Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
• 输入: 标准
• NTC 热敏电阻: 无
• 工作温度: -40°C ~ 125°C
• 安装类型: 底座安装
• 封装/外壳: 模块
• 供应商器件封装: 模块