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BFR182TW
型号：BFR182TW
描述：Vishay Intertechnology, Inc.
厂商：Silicon NPN Planar RF Transistor
PDF大小：68 K
页数：4 页
型号BFR193WH6327XTSA1参数
- Infineon Technologies
- RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
- 剪切带（CT）: ￥3.84000,卷带（TR）: ￥0.85053
- 系列: -
- 产品状态: 在售
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
- 频率 - 跃迁: 8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益: 10.5dB ~ 16dB
- 功率 - 最大值: 580mW
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 30mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80mA
- 工作温度: 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装: PG-SOT323
| 型号 | 供应商 | 数量 | 厂商/品牌 | 封装 | 批号 | 说明 | 联系 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFR182TW
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| 1000 | VISHAY | SOT-323 | 最新批次 | - | |
| BFR182TW
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| 1000 | VISHAY | SOT-323 | 最新批次 | - | |
| BFR182TWGS08
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| 1000 | vishay | IN STOCK!PACK: 3000/tr/smd | dc10 | - | |
| BFR182TWGS08
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| 1000 | vishay | IN STOCK!PACK: 3000/tr/smd | dc10 | - | |
| BFR182TW-GS08
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| 1000 | Vishay | 标准封装 | 最新批次 | - | |
| BFR182TW-GS08
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| 1000 | Vishay | 标准封装 | 最新批次 | - |
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