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型号:BF995

描述:Vishay Intertechnology, Inc.

厂商:N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode,Depletion Mode

PDF大小:116 K

页数:7 页

 型号BF999E6812HTSA1参数

  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH RF
  • 产品状态: 最后售卖
  • 晶体管类型: N 通道
  • 频率: 300MHz
  • 增益: 27dB
  • 电压 - 测试: 10 V
  • 额定电流(安培): 16mA
  • 噪声系数: 2.1dB
  • 电流 - 测试: 10 mA
  • 功率 - 输出: -
  • 电压 - 额定: 20 V
  • 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装: PG-SOT23
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