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型号:BDV66B

描述:Mospec Semiconductor Corp.

厂商:Darlington Complementary Silicon Power Transistor

PDF大小:102 K

页数:3 页

 型号BDV65BG参数

  • onsemi
  • TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3
  • 管件: ¥20.81000
  • 系列: -
  • 产品状态: 停产
  • 晶体管类型: NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值): 2V @ 20mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 1mA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 @ 5A,4V
  • 功率 - 最大值: 125 W
  • 频率 - 跃迁: -
  • 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-247-3
  • 供应商器件封装: TO-247-3
型号 供应商 数量 厂商/品牌 封装 批号 说明 联系
BDV66B

6000 SEMELAB - - -

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1000 PHI TO-220F 最新批次 -

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